Разработка технологии роста гетероструктур с двумерным газом на основе соединений нитрида галлия-нитрида алюминия на кремнии и карбиде кремния для твердотельной СВЧ и силовой электроники
Новосибирск
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Завершено обучение
Полевой транзистор HEMT на основе гетероструктур (ГЭС) AlN/GaN с двумерным электронным газом является неоспоримым лидером в области разработки ЭКБ для СВЧ и силовых приборов нового поколения. Для реализации приборов необходима ГЭС с высокой проводимостью канала, высокими пробивными напряжениями и малыми токами утечки. На данный момент в РФ отсутствует законченная технология роста ГЭС GaN-на-Si/SiC, пригодных для приборных применений, что говорит о высоком уровне сложности существующих задач.
ВСЕ ПОДОПЕЧНЫЕ